SIHA22N60EL-GE3

SIHA22N60EL-GE3 Vishay Siliconix


siha22n60el.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL600V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 197mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 100 V
на замовлення 995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+342.74 грн
10+256.94 грн
100+183.33 грн
500+142.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHA22N60EL-GE3 Vishay Siliconix

Description: N-CHANNEL600V, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 197mOhm @ 11A, 10V, Power Dissipation (Max): 35W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220 Full Pack, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 100 V.

Інші пропозиції SIHA22N60EL-GE3 за ціною від 149.24 грн до 349.11 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIHA22N60EL-GE3 SIHA22N60EL-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix siha22n60el.pdf MOSFETs TO220 600V 21A N-CH MOSFET
на замовлення 957 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+349.11 грн
10+267.56 грн
100+166.84 грн
500+149.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA22N60EL-GE3 Виробник : Vishay siha22n60el.pdf EL Series Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA22N60EL-GE3 SIHA22N60EL-GE3 Виробник : Vishay Siliconix siha22n60el.pdf Description: N-CHANNEL600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 197mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.