
SiHA25N50E-E3 Vishay / Siliconix
на замовлення 384 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 276.00 грн |
10+ | 231.94 грн |
25+ | 146.34 грн |
100+ | 132.69 грн |
500+ | 109.19 грн |
1000+ | 102.36 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SiHA25N50E-E3 Vishay / Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 26A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 35W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220 Full Pack, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 100 V.
Інші пропозиції SiHA25N50E-E3 за ціною від 103.35 грн до 287.89 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SiHA25N50E-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Full Pack Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 100 V |
на замовлення 796 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
SIHA25N50E-E3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |