SIHA25N60EFL-E3 VISHAY
Виробник: VISHAYDescription: VISHAY - SIHA25N60EFL-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.127 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.127ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 358.17 грн |
| 10+ | 302.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHA25N60EFL-E3 VISHAY
Description: VISHAY - SIHA25N60EFL-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.127 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 39W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: E Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.127ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SIHA25N60EFL-E3 за ціною від 162.59 грн до 370.78 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SiHA25N60EFL-E3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK |
на замовлення 940 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIHA25N60EFL-E3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIHA25N60EFL-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.127 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 39W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: E Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.127ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
SiHA25N60EFL-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 25A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 146mOhm @ 12.5A, 10V Power Dissipation (Max): 39W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Full Pack Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2274 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |