на замовлення 1815 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 94.62 грн |
| 10+ | 55.43 грн |
| 100+ | 46.75 грн |
| 500+ | 43.15 грн |
| 1000+ | 37.42 грн |
| 2000+ | 36.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHA5N80AE-GE3 Vishay / Siliconix
Description: VISHAY - SIHA5N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3 A, 1.17 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 29W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: E, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.17ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Інші пропозиції SIHA5N80AE-GE3 за ціною від 42.48 грн до 101.80 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHA5N80AE-GE3 | Виробник : VISHAY |
 Description: VISHAY - SIHA5N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3 A, 1.17 ohm, TO-220FP, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 29W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: E productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.17ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
на замовлення 893 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SIHA5N80AE-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: E SERIES POWER MOSFET THIN-LEAD Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 29W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Full Pack Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 321 pF @ 100 V |
на замовлення 328 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| SIHA5N80AE-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.9A; Idm: 7A; 29W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 1.9A Power dissipation: 29W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.35Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 7A Gate charge: 16.5nC кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||
| SIHA5N80AE-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.9A; Idm: 7A; 29W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 1.9A Power dissipation: 29W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.35Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 7A Gate charge: 16.5nC |
товару немає в наявності |