SIHA6N80AE-GE3 VISHAY
Виробник: VISHAYDescription: VISHAY - SIHA6N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5 A, 0.826 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.826ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 1411 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 78.81 грн |
| 100+ | 59.24 грн |
| 500+ | 47.35 грн |
| 1000+ | 39.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHA6N80AE-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SIHA6N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5 A, 0.826 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 30W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: E, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.826ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SIHA6N80AE-GE3 за ціною від 47.07 грн до 92.86 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHA6N80AE-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 800V 5A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Full Pack Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 422 pF @ 100 V |
на замовлення 756 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SIHA6N80AE-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs N-CHANNEL 800V TO-220FP |
на замовлення 1334 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SIHA6N80AE-GE3 | Виробник : Vishay |
Power MOSFET |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| SIHA6N80AE-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.2A; Idm: 10A; 30W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 3.2A Pulsed drain current: 10A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.95Ω Mounting: THT Gate charge: 22.5nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| SIHA6N80AE-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.2A; Idm: 10A; 30W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 3.2A Pulsed drain current: 10A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.95Ω Mounting: THT Gate charge: 22.5nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |