SIHB053N60E-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: E SERIES POWER MOSFET D2PAK (TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 26.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3722 pF @ 100 V
на замовлення 684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 400.83 грн |
| 25+ | 306.15 грн |
| 100+ | 262.42 грн |
| 500+ | 218.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHB053N60E-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIHB053N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 47 A, 0.047 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 47A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 278W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: E, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції SIHB053N60E-GE3 за ціною від 192.87 грн до 489.03 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHB053N60E-GE3 | Виробник : Vishay |
MOSFET N-CHANNEL 600V |
на замовлення 942 шт: термін постачання 175-184 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIHB053N60E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIHB053N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 47 A, 0.047 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 47A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 278W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: E productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 798 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SIHB053N60E-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 47A Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| SIHB053N60E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; Idm: 128A; 278W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 47A Pulsed drain current: 128A Power dissipation: 278W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 54mΩ Mounting: SMD Gate charge: 92nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| SIHB053N60E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; Idm: 128A; 278W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 47A Pulsed drain current: 128A Power dissipation: 278W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 54mΩ Mounting: SMD Gate charge: 92nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |