SIHB068N60EF-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 41A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2628 pF @ 100 V
на замовлення 3412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 456.00 грн |
| 50+ | 233.29 грн |
| 100+ | 213.36 грн |
| 500+ | 167.50 грн |
| 1000+ | 163.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHB068N60EF-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIHB068N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 41 A, 0.068 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 41A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: EF, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SIHB068N60EF-GE3 за ціною від 153.77 грн до 480.94 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHB068N60EF-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIHB068N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 41 A, 0.068 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 41A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: EF productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 4740 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SIHB068N60EF-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO263 600V 41A N-CH MOSFET |
на замовлення 2517 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SIHB068N60EF-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 41A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
SIHB068N60EF-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 41A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
SIHB068N60EF-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 41A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
SIHB068N60EF-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 41A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товару немає в наявності |