Продукція > VISHAY SILICONIX > SIHB068N60EF-GE3
SIHB068N60EF-GE3

SIHB068N60EF-GE3 Vishay Siliconix

sihb068n60ef.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 41A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2628 pF @ 100 V
на замовлення 3882 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+283.31 грн
50+211.25 грн
100+204.76 грн
500+169.52 грн
1000+165.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHB068N60EF-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIHB068N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 41 A, 0.059 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 41A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: EF, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).

Інші пропозиції SIHB068N60EF-GE3 за ціною від 181.71 грн до 472.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIHB068N60EF-GE3 SIHB068N60EF-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sihb068n60ef.pdf MOSFETs TO263 600V 41A N-CH MOSFET
на замовлення 2367 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+360.48 грн
10+346.03 грн
25+213.35 грн
100+198.63 грн
500+181.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB068N60EF-GE3 SIHB068N60EF-GE3 Виробник : VISHAY 2921048.pdf Description: VISHAY - SIHB068N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 41 A, 0.059 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 1997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+472.06 грн
10+358.17 грн
100+289.67 грн
500+239.10 грн
1000+208.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB068N60EF-GE3 SIHB068N60EF-GE3 Виробник : Vishay sihb068n60ef.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 41A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB068N60EF-GE3 SIHB068N60EF-GE3 Виробник : Vishay sihb068n60ef.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 41A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB068N60EF-GE3 SIHB068N60EF-GE3 Виробник : Vishay sihb068n60ef.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 41A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB068N60EF-GE3 SIHB068N60EF-GE3 Виробник : Vishay sihb068n60ef.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 41A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB068N60EF-GE3 Виробник : VISHAY sihb068n60ef.pdf SIHB068N60EF-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.