SIHB068N60EF-GE3 VISHAY
Виробник: VISHAYDescription: VISHAY - SIHB068N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 41 A, 0.059 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 4745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 418.10 грн |
| 10+ | 417.25 грн |
| 100+ | 208.62 грн |
| 500+ | 183.36 грн |
| 1000+ | 159.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHB068N60EF-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SIHB068N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 41 A, 0.059 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 41A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: EF, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SIHB068N60EF-GE3 за ціною від 160.24 грн до 476.79 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHB068N60EF-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 600V 41A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2628 pF @ 100 V |
на замовлення 3546 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SIHB068N60EF-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO263 600V 41A N-CH MOSFET |
на замовлення 518 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SIHB068N60EF-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 41A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
SIHB068N60EF-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 41A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
SIHB068N60EF-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 41A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
SIHB068N60EF-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 41A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| SIHB068N60EF-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 26A; Idm: 115A; 250W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 26A Pulsed drain current: 115A Power dissipation: 250W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 68mΩ Mounting: SMD Gate charge: 77nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
| SIHB068N60EF-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 26A; Idm: 115A; 250W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 26A Pulsed drain current: 115A Power dissipation: 250W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 68mΩ Mounting: SMD Gate charge: 77nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |