Продукція > VISHAY > SIHB068N60EF-GE3
SIHB068N60EF-GE3

SIHB068N60EF-GE3 VISHAY

VISH-S-A0017061295-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHB068N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 41 A, 0.068 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 4740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHB068N60EF-GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SIHB068N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 41 A, 0.068 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 41A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: EF, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SIHB068N60EF-GE3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SIHB068N60EF-GE3 SIHB068N60EF-GE3 Vishay Semiconductors MOSFETs TO263 600V 41A N-CH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB068N60EF-GE3 VISHAY Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 26A; Idm: 115A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 115A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 77nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB068N60EF-GE3 SIHB068N60EF-GE3 Vishay sihb068n60ef.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 41A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB068N60EF-GE3 SIHB068N60EF-GE3 Vishay sihb068n60ef.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 41A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB068N60EF-GE3
SIHB068N60EF-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO263 600V 41A N-CH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB068N60EF-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 26A; Idm: 115A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 115A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 77nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB068N60EF-GE3 sihb068n60ef.pdf
SIHB068N60EF-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 41A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB068N60EF-GE3 sihb068n60ef.pdf
SIHB068N60EF-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 41A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.