Продукція > VISHAY > SIHB100N60E-GE3

SIHB100N60E-GE3 VISHAY


sihb100n60e.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; Idm: 73A; 208W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 73A
Power dissipation: 208W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+390.13 грн
5+292.50 грн
10+256.36 грн
25+238.71 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHB100N60E-GE3 VISHAY

Description: MOSFET N-CH 600V 30A D2PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 13A, 10V, Power Dissipation (Max): 208W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1851 pF @ 100 V.

Інші пропозиції SIHB100N60E-GE3 за ціною від 152.58 грн до 441.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SIHB100N60E-GE3 SIHB100N60E-GE3 Vishay Siliconix sihb100n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 30A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1851 pF @ 100 V
на замовлення 658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+420.27 грн
50+213.43 грн
100+194.94 грн
500+152.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB100N60E-GE3 SIHB100N60E-GE3 Vishay / Siliconix sihb100n60e.pdf MOSFETs 650V Vds; 30V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 854 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+441.54 грн
10+229.66 грн
100+182.25 грн
500+158.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB100N60E-GE3 sihb100n60e.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 30A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1851 pF @ 100 V
на замовлення 658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+420.27 грн
50+213.43 грн
100+194.94 грн
500+152.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB100N60E-GE3 sihb100n60e.pdf
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 650V Vds; 30V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 854 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+441.54 грн
10+229.66 грн
100+182.25 грн
500+158.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.