SIHB100N65E-GE3 VISHAY
Виробник: VISHAYDescription: VISHAY - SIHB100N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 622.68 грн |
| 50+ | 530.49 грн |
| 100+ | 445.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHB100N65E-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SIHB100N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 208W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: E Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SIHB100N65E-GE3 за ціною від 315.19 грн до 822.11 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHB100N65E-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: E SERIES POWER MOSFET 650 V (D- Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2137 pF @ 100 V |
на замовлення 992 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SIHB100N65E-GE3 | Виробник : Vishay |
MOSFETs E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.1 10V |
на замовлення 603 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SIHB100N65E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIHB100N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 208W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: E Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|