Продукція > VISHAY > SIHB105N60EF-GE3
SIHB105N60EF-GE3

SIHB105N60EF-GE3 VISHAY

2898288.pdf Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHB105N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.088 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF IV Gen
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 6301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+262.94 грн
10+247.47 грн
100+160.37 грн
500+119.43 грн
1000+106.76 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHB105N60EF-GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SIHB105N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.088 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 29A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 208W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: EF IV Gen, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SIHB105N60EF-GE3 за ціною від 113.49 грн до 348.53 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIHB105N60EF-GE3 SIHB105N60EF-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sihb105n60ef.pdf MOSFETs EF Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode
на замовлення 8103 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+284.46 грн
10+252.86 грн
25+169.81 грн
100+150.21 грн
250+149.49 грн
500+129.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB105N60EF-GE3 SIHB105N60EF-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sihb105n60ef.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1804 pF @ 100 V
на замовлення 5691 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+348.53 грн
50+173.58 грн
100+157.91 грн
500+122.45 грн
1000+114.18 грн
2000+113.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB105N60EF-GE3 Виробник : Vishay sihb105n60ef.pdf Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB105N60EF-GE3 Виробник : Vishay sihb105n60ef.pdf Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.