SIHB11N80AE-GE3

SIHB11N80AE-GE3 Vishay Siliconix


sihb11n80ae.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 8A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 804 pF @ 100 V
на замовлення 933 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+94.92 грн
10+78.40 грн
100+70.38 грн
500+64.26 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHB11N80AE-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIHB11N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.391 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 78W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: E, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.391ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SIHB11N80AE-GE3 за ціною від 57.46 грн до 181.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIHB11N80AE-GE3 SIHB11N80AE-GE3 Виробник : VISHAY 3098127.pdf Description: VISHAY - SIHB11N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.391 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.391ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 3781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+156.13 грн
10+116.25 грн
100+89.10 грн
500+62.33 грн
1000+57.46 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB11N80AE-GE3 SIHB11N80AE-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sihb11n80ae.pdf MOSFETs TO263 800V 8A N-CH MOSFET
на замовлення 1004 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+181.79 грн
10+133.96 грн
100+89.26 грн
500+72.24 грн
1000+64.83 грн
2000+63.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB11N80AE-GE3 Виробник : Vishay sihb11n80ae.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+71.22 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB11N80AE-GE3 Виробник : VISHAY sihb11n80ae.pdf SIHB11N80AE-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.