SIHB11N80AE-GE3 VISHAY
Виробник: VISHAYDescription: VISHAY - SIHB11N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.391 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.391ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 3781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 158.00 грн |
| 10+ | 117.64 грн |
| 100+ | 90.17 грн |
| 500+ | 63.07 грн |
| 1000+ | 58.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHB11N80AE-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SIHB11N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.391 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 78W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: E, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.391ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SIHB11N80AE-GE3 за ціною від 60.32 грн до 217.02 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHB11N80AE-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 800V 8A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 804 pF @ 100 V |
на замовлення 894 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SIHB11N80AE-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs TO263 800V 8A N-CH MOSFET |
на замовлення 970 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SIHB11N80AE-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| SIHB11N80AE-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5A; Idm: 22A; 78W; D2PAK,TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 5A Power dissipation: 78W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 22A Gate charge: 42nC |
товару немає в наявності |