Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHB11N80AE-T1-GE3 Vishay Semiconductors
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5A; Idm: 22A; 78W; D2PAK,TO263, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 800V, Drain current: 5A, Power dissipation: 78W, Case: D2PAK; TO263, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 391mΩ, Mounting: SMD, Kind of channel: enhancement, Pulsed drain current: 22A.
Інші пропозиції SIHB11N80AE-T1-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHB11N80AE-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5A; Idm: 22A; 78W; D2PAK,TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 5A Power dissipation: 78W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 391mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 22A |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. |
| SIHB11N80AE-T1-GE3 |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5A; Idm: 22A; 78W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5A
Power dissipation: 78W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 391mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 22A
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5A; Idm: 22A; 78W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5A
Power dissipation: 78W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 391mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 22A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику
од. на суму грн.