Продукція > VISHAY > SIHB12N60E-GE3
SIHB12N60E-GE3

SIHB12N60E-GE3 Vishay

sihb12n60.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+107.77 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHB12N60E-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SIHB12N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.38 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 147W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SIHB12N60E-GE3 за ціною від 131.95 грн до 131.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SIHB12N60E-GE3 SIHB12N60E-GE3 Vishay sihb12n60.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+131.95 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB12N60E-GE3 SIHB12N60E-GE3 VISHAY sihb12n60.pdf Description: VISHAY - SIHB12N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.38 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 147W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB12N60E-GE3 SIHB12N60E-GE3 Vishay / Siliconix sihb12n60.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 4347 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB12N60E-GE3 sihb12n60.pdf
SIHB12N60E-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+131.95 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB12N60E-GE3 sihb12n60.pdf
SIHB12N60E-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHB12N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.38 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 147W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB12N60E-GE3 sihb12n60.pdf
SIHB12N60E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 4347 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.