SIHB15N50E-GE3 VISHAY
Виробник: VISHAYDescription: VISHAY - SIHB15N50E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 14.5 A, 0.243 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 156W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.243ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.243ohm
на замовлення 1261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 84.47 грн |
| 500+ | 70.18 грн |
| 1000+ | 59.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHB15N50E-GE3 VISHAY
Description: MOSFET N-CH 500V 14.5A D2PAK, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 7.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 156W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1162 pF @ 100 V.
Інші пропозиції SIHB15N50E-GE3 за ціною від 59.95 грн до 117.07 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SIHB15N50E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIHB15N50E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 14.5 A, 0.243 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 156W Anzahl der Pins: 3Pins productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.243ohm |
на замовлення 1151 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SIHB15N50E-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 14.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товар відсутній |
|||||||||||||
| SIHB15N50E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 9.2A; Idm: 28A; 156W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 9.2A Pulsed drain current: 28A Power dissipation: 156W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: SMD Gate charge: 66nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
 |
SIHB15N50E-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 500V 14.5A D2PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1162 pF @ 100 V |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
SIHB15N50E-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET 500V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263) |
товар відсутній |
|||||||||||||
| SIHB15N50E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 9.2A; Idm: 28A; 156W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 9.2A Pulsed drain current: 28A Power dissipation: 156W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: SMD Gate charge: 66nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |