SIHB15N50E-GE3 VISHAY
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHB15N50E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 14.5 A, 0.28 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 156W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.243ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 79.43 грн |
| 500+ | 71.71 грн |
| 1000+ | 64.87 грн |
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Технічний опис SIHB15N50E-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SIHB15N50E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 14.5 A, 0.28 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 14.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 156W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 156W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: E, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.243ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SIHB15N50E-GE3 за ціною від 66.20 грн до 235.44 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
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SIHB15N50E-GE3 | VISHAY |
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на замовлення 1201 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| SIHB15N50E-GE3 |
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Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHB15N50E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 14.5 A, 0.28 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
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Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
Description: VISHAY - SIHB15N50E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 14.5 A, 0.28 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 500V
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Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 156W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
на замовлення 1201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 235.44 грн |
| 10+ | 167.82 грн |
| 100+ | 131.97 грн |
| 500+ | 85.48 грн |
| 1000+ | 66.20 грн |


