Продукція > VISHAY > SIHB17N80AE-T1-GE3

SIHB17N80AE-T1-GE3 Vishay

Виробник: Vishay
SIHB17N80AE-T1-GE3
на замовлення 11200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+95.11 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHB17N80AE-T1-GE3 Vishay

Description: N-CHANNEL 800V, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 179W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 100 V.

Інші пропозиції SIHB17N80AE-T1-GE3 за ціною від 126.49 грн до 126.49 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIHB17N80AE-T1-GE3 Виробник : VISHAY Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 44800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
800+126.49 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB17N80AE-T1-GE3 SIHB17N80AE-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix Description: N-CHANNEL 800V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB17N80AE-T1-GE3 SIHB17N80AE-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors MOSFETs N-CHANNEL 800V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.