на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 120.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHB180N60E-GE3 Vishay
Description: MOSFET N-CH 600V 19A D2PAK, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 9.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 156W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1085 pF @ 100 V.
Інші пропозиції SIHB180N60E-GE3 за ціною від 141.25 грн до 298.69 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHB180N60E-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
 MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263) |
на замовлення 964 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
| SIHB180N60E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 44A; 156W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 12A Pulsed drain current: 44A Power dissipation: 156W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: SMD Gate charge: 33nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||
 |
SIHB180N60E-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 600V 19A D2PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 9.5A, 10V Power Dissipation (Max): 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1085 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||
| SIHB180N60E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 44A; 156W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 12A Pulsed drain current: 44A Power dissipation: 156W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: SMD Gate charge: 33nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |