SIHB190N65E-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1155 pF @ 100 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 335.60 грн |
| 10+ | 213.55 грн |
| 100+ | 151.47 грн |
| 500+ | 123.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHB190N65E-GE3 Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 650V, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9A, 10V, Power Dissipation (Max): 179W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1155 pF @ 100 V.
Інші пропозиції SIHB190N65E-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHB190N65E-GE3 | Vishay |
MOSFETs N-CHANNEL 650V |
на замовлення 245 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SIHB190N65E-GE3 |
|
Виробник: Vishay
MOSFETs N-CHANNEL 650V
MOSFETs N-CHANNEL 650V
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)