Продукція > VISHAY SILICONIX > SIHB190N65E-GE3
SIHB190N65E-GE3

SIHB190N65E-GE3 Vishay Siliconix

sihb190n65e.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1155 pF @ 100 V
на замовлення 992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+246.06 грн
10+177.75 грн
25+163.06 грн
100+137.88 грн
250+130.65 грн
500+126.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHB190N65E-GE3 Vishay Siliconix

Description: N-CHANNEL 650V, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9A, 10V, Power Dissipation (Max): 179W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1155 pF @ 100 V.

Інші пропозиції SIHB190N65E-GE3 за ціною від 115.67 грн до 363.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIHB190N65E-GE3 SIHB190N65E-GE3 Виробник : Vishay sihb190n65e.pdf MOSFETs N-CHANNEL 650V
на замовлення 917 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+363.19 грн
10+237.48 грн
100+161.48 грн
500+144.40 грн
1000+122.66 грн
2000+117.23 грн
5000+115.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB190N65E-GE3 SIHB190N65E-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sihb190n65e.pdf Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1155 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.