Продукція > VISHAY SILICONIX > SIHB20N50E-GE3
SIHB20N50E-GE3

SIHB20N50E-GE3 Vishay Siliconix

sihb20n50e.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 19A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 184mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V
на замовлення 2280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+175.54 грн
10+154.04 грн
100+117.28 грн
500+99.29 грн
1000+96.68 грн
2000+94.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHB20N50E-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 500V 19A D2PAK, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 184mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 179W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V.

Інші пропозиції SIHB20N50E-GE3 за ціною від 99.80 грн до 190.21 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIHB20N50E-GE3 SIHB20N50E-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sihb20n50e.pdf MOSFETs 500V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 842 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+190.21 грн
10+170.85 грн
100+110.47 грн
500+99.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB20N50E-GE3 SIHB20N50E-GE3 Виробник : Vishay sihb20n50e.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB20N50E-GE3 Виробник : VISHAY sihb20n50e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; Idm: 42A; 179W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 42A
Power dissipation: 179W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 184mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 92nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.