SIHB20N50E-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 19A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 184mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V
на замовлення 2402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 182.03 грн |
| 10+ | 148.72 грн |
| 100+ | 112.08 грн |
| 500+ | 95.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHB20N50E-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 19A D2PAK, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 184mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 179W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V.
Інші пропозиції SIHB20N50E-GE3 за ціною від 104.14 грн до 185.76 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHB20N50E-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs 500V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263) |
на замовлення 842 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SIHB20N50E-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товару немає в наявності |
|||||||||||
| SIHB20N50E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; Idm: 42A; 179W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 12A Pulsed drain current: 42A Power dissipation: 179W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 184mΩ Mounting: SMD Gate charge: 92nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||
| SIHB20N50E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; Idm: 42A; 179W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 12A Pulsed drain current: 42A Power dissipation: 179W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 184mΩ Mounting: SMD Gate charge: 92nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |