SIHB21N60EF-GE3

SIHB21N60EF-GE3 Vishay / Siliconix


sihb21n60ef.pdf Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 893 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+353.32 грн
10+259.92 грн
25+188.72 грн
100+172.31 грн
250+161.87 грн
500+143.22 грн
1000+138.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHB21N60EF-GE3 Vishay / Siliconix

Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO263AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 176mOhm @ 11A, 10V, Power Dissipation (Max): 227W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 100 V.

Інші пропозиції SIHB21N60EF-GE3 за ціною від 382.47 грн до 382.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIHB21N60EF-GE3 SIHB21N60EF-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sihb21n60ef.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 176mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 100 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+382.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB21N60EF-GE3 Виробник : Vishay sihb21n60ef.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB21N60EF-GE3 Виробник : VISHAY sihb21n60ef.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 53A; 227W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 227W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 176mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 84nC
Pulsed drain current: 53A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB21N60EF-GE3 Виробник : VISHAY sihb21n60ef.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 53A; 227W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 227W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 176mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 84nC
Pulsed drain current: 53A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.