Продукція > VISHAY > SIHB21N65EF-GE3
SIHB21N65EF-GE3

SIHB21N65EF-GE3 VISHAY


3672790.pdf Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHB21N65EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 21 A, 0.15 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 967 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+342.26 грн
10+318.11 грн
100+190.70 грн
500+151.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHB21N65EF-GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SIHB21N65EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 21 A, 0.15 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 21A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 208W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: E Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SIHB21N65EF-GE3 за ціною від 172.97 грн до 409.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIHB21N65EF-GE3 SIHB21N65EF-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sihb21n65ef.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 21A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2322 pF @ 100 V
на замовлення 143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+390.27 грн
50+230.07 грн
100+210.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB21N65EF-GE3 SIHB21N65EF-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sihb21n65ef.pdf MOSFETs 650V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 1011 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+409.65 грн
10+309.04 грн
50+218.99 грн
100+199.69 грн
250+190.78 грн
500+174.45 грн
2500+172.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB21N65EF-GE3 Виробник : VISHAY sihb21n65ef.pdf SIHB21N65EF-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.