на замовлення 2131 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 199.58 грн |
| 10+ | 166.35 грн |
| 25+ | 136.07 грн |
| 100+ | 116.91 грн |
| 250+ | 110.31 грн |
| 500+ | 103.7 грн |
| 1000+ | 83.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHB21N80AE-GE3 Vishay / Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 17.4A D2PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 11A, 10V, Power Dissipation (Max): 32W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: D²PAK (TO-263), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1388 pF @ 100 V.
Інші пропозиції SIHB21N80AE-GE3 за ціною від 91.7 грн до 91.7 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SIHB21N80AE-GE3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 800V 17.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
| SIHB21N80AE-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; Idm: 38A; 179W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 11A Pulsed drain current: 38A Power dissipation: 179W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.235Ω Mounting: SMD Gate charge: 72nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||
 |
SIHB21N80AE-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 800V 17.4A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 32W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D²PAK (TO-263) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1388 pF @ 100 V |
товар відсутній |
|||||
| SIHB21N80AE-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; Idm: 38A; 179W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 11A Pulsed drain current: 38A Power dissipation: 179W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.235Ω Mounting: SMD Gate charge: 72nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |