Продукція > VISHAY / SILICONIX > SIHB22N60EF-GE3

SIHB22N60EF-GE3 Vishay / Siliconix

Name: SIHB22N60EF-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 4207116-4
Price: 629.98 UAH
Availability: InStock

Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs Nch 600V Vds 30V Vgs TO-263; w/diode

на замовлення 1730 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
2+	314.99 грн
10+	237.74 грн
25+	195.69 грн
100+	167.74 грн
250+	158.91 грн
500+	149.34 грн
1000+	123.59 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SIHB22N60EF-GE3 Vishay / Siliconix

Description: MOSFET N-CH 600V 19A D2PAK, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 182mOhm @ 11A, 10V, Power Dissipation (Max): 179W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1423 pF @ 100 V.

Інші пропозиції SIHB22N60EF-GE3

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
SIHB22N60EF-GE3	Виробник : Vishay	Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
SIHB22N60EF-GE3	Виробник : VISHAY	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 46A; 179W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 12A Pulsed drain current: 46A Power dissipation: 179W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 182mΩ Mounting: SMD Gate charge: 96nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
SIHB22N60EF-GE3	Виробник : Vishay Siliconix	Description: MOSFET N-CH 600V 19A D2PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 182mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 179W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1423 pF @ 100 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
SIHB22N60EF-GE3	Виробник : VISHAY	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 46A; 179W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 12A Pulsed drain current: 46A Power dissipation: 179W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 182mΩ Mounting: SMD Gate charge: 96nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.