Продукція > VISHAY SILICONIX > SIHB22N60ET1-GE3

SIHB22N60ET1-GE3 Vishay Siliconix

sihb22n60e.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHB22N60ET1-GE3 Vishay Siliconix

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 56A; 227W, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 13A, Pulsed drain current: 56A, Power dissipation: 227W, Case: D2PAK; TO263, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 0.18Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 86nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement.

Інші пропозиції SIHB22N60ET1-GE3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SIHB22N60ET1-GE3 SIHB22N60ET1-GE3 Vishay Siliconix sihb22n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO263
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB22N60ET1-GE3 SIHB22N60ET1-GE3 Vishay Siliconix sihb22n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB22N60ET1-GE3 SIHB22N60ET1-GE3 Vishay / Siliconix sihb22n60e.pdf MOSFETs 600V Vds E Series D2PAK TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB22N60ET1-GE3 SIHB22N60ET1-GE3 VISHAY sihb22n60e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 56A; 227W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 227W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 86nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB22N60ET1-GE3 sihb22n60e.pdf
SIHB22N60ET1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO263
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB22N60ET1-GE3 sihb22n60e.pdf
SIHB22N60ET1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB22N60ET1-GE3 sihb22n60e.pdf
SIHB22N60ET1-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds E Series D2PAK TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB22N60ET1-GE3 sihb22n60e.pdf
SIHB22N60ET1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 56A; 227W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 227W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 86nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.