SIHB24N65E-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 100 V
на замовлення 1566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 433.49 грн |
| 50+ | 227.97 грн |
| 100+ | 219.61 грн |
| 500+ | 172.78 грн |
| 1000+ | 170.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHB24N65E-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIHB24N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.145 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 24A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: E, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SIHB24N65E-GE3 за ціною від 155.30 грн до 468.42 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHB24N65E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIHB24N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.145 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: E productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 1979 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SIHB24N65E-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263) |
на замовлення 3325 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| SIHB24N65E-GE3 |
|
на замовлення 1970 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||
 |
SIHB24N65E-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товару немає в наявності |