SIHB24N65E-GE3 VISHAY
Виробник: VISHAYDescription: VISHAY - SIHB24N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.12 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 250W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.12ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 242.79 грн |
| 10+ | 218.14 грн |
| 25+ | 198.71 грн |
| 100+ | 165.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHB24N65E-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SIHB24N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.12 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 24A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 250W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: E, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.12ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Інші пропозиції SIHB24N65E-GE3 за ціною від 177.17 грн до 411.77 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHB24N65E-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 100 V |
на замовлення 1869 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIHB24N65E-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET 650V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263) |
на замовлення 3460 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SIHB24N65E-GE3 |
|
на замовлення 1970 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
 |
SIHB24N65E-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| SIHB24N65E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 16A; Idm: 70A; 250W Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 70A Power dissipation: 250W Gate charge: 122nC Polarisation: unipolar Drain current: 16A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 650V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±30V Case: D2PAK; TO263 On-state resistance: 0.145Ω Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| SIHB24N65E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 16A; Idm: 70A; 250W Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 70A Power dissipation: 250W Gate charge: 122nC Polarisation: unipolar Drain current: 16A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 650V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±30V Case: D2PAK; TO263 On-state resistance: 0.145Ω Mounting: SMD |
товар відсутній |