Продукція > VISHAY SILICONIX > SIHB24N65EFT1-GE3
SIHB24N65EFT1-GE3

SIHB24N65EFT1-GE3 Vishay Siliconix

sihb24n65ef.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2774 pF @ 100 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+232.19 грн
1600+ 191.45 грн
Мінімальне замовлення: 800
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHB24N65EFT1-GE3 Vishay Siliconix

Description: N-CHANNEL 650V, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2774 pF @ 100 V.

Інші пропозиції SIHB24N65EFT1-GE3 за ціною від 208.44 грн до 417.99 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SIHB24N65EFT1-GE3 SIHB24N65EFT1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sihb24n65ef.pdf Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2774 pF @ 100 V
на замовлення 2734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+384.67 грн
10+ 310.91 грн
100+ 251.54 грн
SIHB24N65EFT1-GE3 SIHB24N65EFT1-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sihb24n65ef.pdf MOSFET N-CHANNEL 650V
на замовлення 3981 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+417.99 грн
10+ 346.15 грн
25+ 284.35 грн
100+ 245.73 грн
800+ 208.44 грн
SIHB24N65EFT1-GE3 Виробник : Vishay sihb24n65ef.pdf E Series Power MOSFET with Fast Body Diode
товар відсутній
SIHB24N65EFT1-GE3 Виробник : VISHAY sihb24n65ef.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
SIHB24N65EFT1-GE3 Виробник : VISHAY sihb24n65ef.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній