Продукція > VISHAY SILICONIX > SIHB28N60EF-GE3

SIHB28N60EF-GE3 Vishay Siliconix

Name: SIHB28N60EF-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 5042945-3
Price: 413.93 UAH
Availability: InStock

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 28A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2714 pF @ 100 V

на замовлення 1206 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
1+	413.93 грн
50+	213.19 грн
100+	195.31 грн
500+	179.20 грн

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SIHB28N60EF-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 600V 28A D2PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 14A, 10V, Power Dissipation (Max): 250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: D2PAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2714 pF @ 100 V.

Інші пропозиції SIHB28N60EF-GE3

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
SIHB28N60EF-GE3	Виробник : Vishay	Trans MOSFET N-CH 600V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
SIHB28N60EF-GE3	Виробник : VISHAY	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; Idm: 75A; 250W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 18A Pulsed drain current: 75A Power dissipation: 250W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 123mΩ Mounting: SMD Gate charge: 0.12µC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
SIHB28N60EF-GE3	Виробник : Vishay / Siliconix	MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
SIHB28N60EF-GE3	Виробник : VISHAY	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; Idm: 75A; 250W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 18A Pulsed drain current: 75A Power dissipation: 250W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 123mΩ Mounting: SMD Gate charge: 0.12µC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.