Продукція > VISHAY SILICONIX > SIHB30N60E-GE3
SIHB30N60E-GE3

SIHB30N60E-GE3 Vishay Siliconix

sihb30n60e.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 100 V
на замовлення 422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+493.49 грн
50+253.83 грн
100+232.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHB30N60E-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIHB30N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.125 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 29A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 250W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: E, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm.

Інші пропозиції SIHB30N60E-GE3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SIHB30N60E-GE3 SIHB30N60E-GE3 VISHAY VISH-S-A0003300683-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIHB30N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.125 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 250W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
на замовлення 848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB30N60E-GE3 SIHB30N60E-GE3 Vishay Semiconductors sihb30n60e.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 1369 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB30N60E-GE3 VISH-S-A0003300683-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIHB30N60E-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHB30N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.125 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 250W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
на замовлення 848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB30N60E-GE3 sihb30n60e.pdf
SIHB30N60E-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 1369 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.