Продукція > VISHAY > SIHB33N60E-GE3
SIHB33N60E-GE3

SIHB33N60E-GE3 Vishay

sihb33n60e.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+202.07 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHB33N60E-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SIHB33N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 33 A, 0.083 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 33A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 278W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).

Інші пропозиції SIHB33N60E-GE3 за ціною від 195.67 грн до 481.20 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIHB33N60E-GE3 SIHB33N60E-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0014753741-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIHB33N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 33 A, 0.083 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+346.61 грн
100+279.10 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB33N60E-GE3 SIHB33N60E-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sihb33n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 33A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3508 pF @ 100 V
на замовлення 1387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+442.99 грн
10+344.10 грн
100+278.50 грн
500+227.19 грн
1000+195.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB33N60E-GE3 SIHB33N60E-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0014753741-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIHB33N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 33 A, 0.083 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+448.70 грн
10+346.61 грн
100+279.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB33N60E-GE3 SIHB33N60E-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sihb33n60e.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 2962 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+481.20 грн
10+357.01 грн
25+295.03 грн
100+233.38 грн
250+231.92 грн
500+201.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB33N60E-GE3 SIHB33N60E-GE3 Виробник : VISHAY sihb33n60e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; 278W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
Case: D2PAK; TO263
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 150nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 278W
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB33N60E-GE3 SIHB33N60E-GE3 Виробник : VISHAY sihb33n60e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; 278W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
Case: D2PAK; TO263
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 150nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 278W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.