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SIHB33N60E-GE3

SIHB33N60E-GE3 Vishay / Siliconix

sihb33n60e.pdf
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 925 шт:
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Технічний опис SIHB33N60E-GE3 Vishay / Siliconix

Description: VISHAY - SIHB33N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 33 A, 0.099 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 33A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 278W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

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SIHB33N60E-GE3 SIHB33N60E-GE3 VISHAY sihb33n60e.pdf Description: VISHAY - SIHB33N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 33 A, 0.099 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
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SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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SIHB33N60E-GE3 SIHB33N60E-GE3 VISHAY sihb33n60e.pdf Description: VISHAY - SIHB33N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 33 A, 0.099 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
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SIHB33N60E-GE3
Виробник: VISHAY
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на замовлення 373 шт:
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Виробник: VISHAY
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