SIHB33N60E-GE3 Vishay / Siliconix
на замовлення 2955 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 376.82 грн |
| 10+ | 328.14 грн |
| 25+ | 278.07 грн |
| 100+ | 247.03 грн |
| 250+ | 234.48 грн |
| 500+ | 219.29 грн |
| 1000+ | 179.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHB33N60E-GE3 Vishay / Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 33A D2PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 16.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 278W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3508 pF @ 100 V.
Інші пропозиції SIHB33N60E-GE3 за ціною від 172.46 грн до 392.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHB33N60E-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 600V 33A D2PAKPackaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 16.5A, 10V Power Dissipation (Max): 278W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3508 pF @ 100 V |
на замовлення 4336 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SIHB33N60E-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
SIHB33N60E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; 278W; D2PAK,TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 21A Power dissipation: 278W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 99mΩ Mounting: SMD Gate charge: 150nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
SIHB33N60E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; 278W; D2PAK,TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 21A Power dissipation: 278W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 99mΩ Mounting: SMD Gate charge: 150nC Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |