SIHB35N60E-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 650V 32A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 100 V
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 406.55 грн |
| 10+ | 328.4 грн |
| 100+ | 265.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHB35N60E-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 650V 32A D2PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 17A, 10V, Power Dissipation (Max): 250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 100 V.
Інші пропозиції SIHB35N60E-GE3 за ціною від 215.33 грн до 440.78 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHB35N60E-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263) |
на замовлення 936 шт: термін постачання 112-121 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIHB35N60E-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 32A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| SIHB35N60E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 80A; 250W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 20A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 250W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 94mΩ Mounting: SMD Gate charge: 132nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
 |
SIHB35N60E-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 32A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
SIHB35N60E-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 32A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| SIHB35N60E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 80A; 250W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 20A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 250W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 94mΩ Mounting: SMD Gate charge: 132nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |