SIHB35N60E-GE3 Vishay / Siliconix
на замовлення 913 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 555.28 грн |
| 10+ | 395.41 грн |
| 100+ | 278.16 грн |
| 500+ | 247.25 грн |
| 1000+ | 231.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHB35N60E-GE3 Vishay / Siliconix
Description: MOSFET N-CH 650V 32A D2PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 17A, 10V, Power Dissipation (Max): 250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 100 V.
Інші пропозиції SIHB35N60E-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHB35N60E-GE3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 600V 32A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube |
товару немає в наявності |
|
 |
SIHB35N60E-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 32A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube |
товару немає в наявності |
|
|
|
SIHB35N60E-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 32A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube |
товару немає в наявності |
|
 |
SIHB35N60E-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 650V 32A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |
|
| SIHB35N60E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 80A; 250W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 20A Power dissipation: 250W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 94mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 132nC Pulsed drain current: 80A |
товару немає в наявності |