Продукція > VISHAY > SIHB35N60EF-GE3
SIHB35N60EF-GE3

SIHB35N60EF-GE3 VISHAY

2786145.pdf Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHB35N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 32 A, 0.084 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 250
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: EF
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.084
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.084
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+306.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHB35N60EF-GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SIHB35N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 32 A, 0.084 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 32, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 250, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: EF, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.084, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.084, SVHC: Lead (19-Jan-2021).

Інші пропозиції SIHB35N60EF-GE3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIHB35N60EF-GE3 SIHB35N60EF-GE3 Виробник : VISHAY 2786145.pdf Description: VISHAY - SIHB35N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 32 A, 0.084 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 250
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.084
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB35N60EF-GE3 SIHB35N60EF-GE3 Виробник : Vishay sihb35n60ef.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 32A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB35N60EF-GE3 Виробник : VISHAY sihb35n60ef.pdf SIHB35N60EF-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB35N60EF-GE3 SIHB35N60EF-GE3 Виробник : Vishay sihb35n60ef.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 32A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB35N60EF-GE3 SIHB35N60EF-GE3 Виробник : Vishay sihb35n60ef.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 32A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB35N60EF-GE3 SIHB35N60EF-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sihb35n60ef.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 32A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 97mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2568 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB35N60EF-GE3 SIHB35N60EF-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sihb35n60ef.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.