SIHB5N80AE-GE3 VISHAY
Виробник: VISHAYDescription: VISHAY - SIHB5N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.4 A, 1.17 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.17ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 1020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 108.27 грн |
| 10+ | 89.54 грн |
| 100+ | 76.85 грн |
| 500+ | 54.42 грн |
| 1000+ | 40.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHB5N80AE-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SIHB5N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.4 A, 1.17 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 62.5W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: E, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.17ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SIHB5N80AE-GE3 за ціною від 41.80 грн до 161.70 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHB5N80AE-GE3 | Виробник : Vishay |
MOSFETs TO263 800V 4.4A N-CH MOSFET |
на замовлення 335 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIHB5N80AE-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: E SERIES POWER MOSFET D2PAK (TO- Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 321 pF @ 100 V |
на замовлення 655 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|