Продукція > VISHAY SILICONIX > SIHB5N80AE-GE3
SIHB5N80AE-GE3

SIHB5N80AE-GE3 Vishay Siliconix

sihb5n80ae.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: E SERIES POWER MOSFET D2PAK (TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 321 pF @ 100 V
на замовлення 655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+158.56 грн
50+73.66 грн
100+66.03 грн
500+49.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHB5N80AE-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIHB5N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.4 A, 1.35 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 62.5W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: E, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.35ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SIHB5N80AE-GE3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SIHB5N80AE-GE3 SIHB5N80AE-GE3 VISHAY VISH-S-A0013953774-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIHB5N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.4 A, 1.35 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.35ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB5N80AE-GE3 SIHB5N80AE-GE3 Vishay sihb5n80ae.pdf MOSFETs TO263 800V 4.4A N-CH MOSFET
на замовлення 1335 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB5N80AE-GE3 VISH-S-A0013953774-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIHB5N80AE-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHB5N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.4 A, 1.35 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.35ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB5N80AE-GE3 sihb5n80ae.pdf
SIHB5N80AE-GE3
Виробник: Vishay
MOSFETs TO263 800V 4.4A N-CH MOSFET
на замовлення 1335 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.