Технічний опис SIHB8N50D-GE3 Vishay
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.5A; Idm: 18A; 156W, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 500V, Drain current: 5.5A, Pulsed drain current: 18A, Power dissipation: 156W, Case: D2PAK; TO263, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 0.85Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 30nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції SIHB8N50D-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| SIHB8N50D-GE3 | Виробник : VISHAY |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.5A; Idm: 18A; 156W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 5.5A Pulsed drain current: 18A Power dissipation: 156W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: SMD Gate charge: 30nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
 |
SIHB8N50D-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 500V 8.7A D2PAK |
товар відсутній |
|
 |
SIHB8N50D-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET 500V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263) |
товар відсутній |
|
| SIHB8N50D-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.5A; Idm: 18A; 156W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 5.5A Pulsed drain current: 18A Power dissipation: 156W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: SMD Gate charge: 30nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |