Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > SIHD11N80AE-GE3

SIHD11N80AE-GE3

sihd11n80ae.pdf
Код товару: 220649
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
очікується 110 шт:
110 шт - очікується
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції SIHD11N80AE-GE3 за ціною від 46.42 грн до 188.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIHD11N80AE-GE3 SIHD11N80AE-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0016250093-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIHD11N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.45 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 2825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+74.15 грн
500+53.14 грн
1000+46.42 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD11N80AE-GE3 SIHD11N80AE-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sihd11n80ae.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 8A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 804 pF @ 100 V
на замовлення 1779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+170.94 грн
75+75.55 грн
150+68.19 грн
525+54.16 грн
1050+49.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD11N80AE-GE3 SIHD11N80AE-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0016250093-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIHD11N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.45 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 2825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+177.28 грн
10+81.76 грн
100+74.15 грн
500+53.14 грн
1000+46.42 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD11N80AE-GE3 SIHD11N80AE-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sihd11n80ae.pdf MOSFETs TO252 800V 8A N-CH MOSFET
на замовлення 7303 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+188.61 грн
10+86.17 грн
100+67.44 грн
500+56.83 грн
1000+50.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD11N80AE-GE3 SIHD11N80AE-GE3 Виробник : Vishay doc92337.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.