Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > SIHD11N80AE-GE3

SIHD11N80AE-GE3

sihd11n80ae.pdf
Код товару: 220649
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції SIHD11N80AE-GE3 за ціною від 57.68 грн до 181.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SIHD11N80AE-GE3 SIHD11N80AE-GE3 Vishay Siliconix sihd11n80ae.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 8A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 804 pF @ 100 V
на замовлення 1475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+181.84 грн
10+112.54 грн
75+80.46 грн
150+68.15 грн
525+57.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD11N80AE-GE3 SIHD11N80AE-GE3 Vishay / Siliconix sihd11n80ae.pdf MOSFETs TO252 800V 8A N-CH MOSFET
на замовлення 4768 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD11N80AE-GE3 SIHD11N80AE-GE3 VISHAY VISH-S-A0016250093-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIHD11N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.45 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 78W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
на замовлення 2695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD11N80AE-GE3 SIHD11N80AE-GE3 VISHAY VISH-S-A0016250093-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIHD11N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.45 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 78W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
на замовлення 2695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD11N80AE-GE3 sihd11n80ae.pdf
SIHD11N80AE-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 8A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 804 pF @ 100 V
на замовлення 1475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+181.84 грн
10+112.54 грн
75+80.46 грн
150+68.15 грн
525+57.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD11N80AE-GE3 sihd11n80ae.pdf
SIHD11N80AE-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO252 800V 8A N-CH MOSFET
на замовлення 4768 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD11N80AE-GE3 VISH-S-A0016250093-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIHD11N80AE-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHD11N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.45 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 78W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
на замовлення 2695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD11N80AE-GE3 VISH-S-A0016250093-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIHD11N80AE-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHD11N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.45 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 78W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
на замовлення 2695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

SUP50010E-GE3
Код товару: 191652
Додати до обраних Обраний товар
sup50010e.pdf
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UCC24636DBVR
Код товару: 189187
Додати до обраних Обраний товар
suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fucc24636
Мікросхеми > Драйвери транзисторів
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP785AH120T1G
Код товару: 188177
Додати до обраних Обраний товар
ncp785a-d.pdf
Мікросхеми > Стабілізатори напруги лінійні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
470uF 10V ESX 8x12mm (low imp., 5000год.ин) (ESX471M10B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Код товару: 50475
3 Додати до обраних Обраний товар
ESX_080418.pdf
470uF 10V ESX 8x12mm (low imp., 5000год.ин) (ESX471M10B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 470 мкФ
Номін. напруга: 10 В
Серія: ESX
Тип: низькоімпедансні з довгим терміном служби
Темп. діапазон: -55...+105°С
Габарити: 8x12 мм
Строк служби: 5000 годин
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
у наявності: 6926 шт
  • 6417 шт - склад
  • 181 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 156 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 172 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
7+3.00 грн
10+2.70 грн
100+2.30 грн
1000+1.90 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCP1203D60R2G
Код товару: 24891
Додати до обраних Обраний товар
NCP1203D60R2G.pdf
NCP1203D60R2G
Виробник: ON
Мікросхеми > Джерел живлення
Корпус: SOIC-8
Призначення і характеристики: ШІМ струмового режиму
Напруга вхідна, В: 16 В
Iвих., А: 250 мА
Частота Fosc, кГц: 65 кГц
Темп. діапазон: -40...+125°С
у наявності: 165 шт
  • 140 шт - склад
  • 25 шт - РАДІОМАГ-Київ
на замовлення: 10 шт
  • 10 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+110.00 грн
10+99.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.