Продукція > VISHAY SILICONIX > SIHD11N80AE-T1-GE3
SIHD11N80AE-T1-GE3

SIHD11N80AE-T1-GE3 Vishay Siliconix

sihd11n80ae.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 800V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 804 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2000+52.34 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHD11N80AE-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIHD11N80AE-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.45 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 78W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 78W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: E, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.391ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SIHD11N80AE-T1-GE3 за ціною від 45.74 грн до 179.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIHD11N80AE-T1-GE3 SIHD11N80AE-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0016250093-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIHD11N80AE-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.45 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 78W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.391ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+91.27 грн
500+77.88 грн
1000+68.93 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD11N80AE-T1-GE3 SIHD11N80AE-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0016250093-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIHD11N80AE-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.45 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+153.77 грн
10+118.41 грн
100+91.27 грн
500+77.88 грн
1000+68.93 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD11N80AE-T1-GE3 SIHD11N80AE-T1-GE3 Vishay Siliconix sihd11n80ae.pdf Description: N-CHANNEL 800V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 804 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+173.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD11N80AE-T1-GE3 SIHD11N80AE-T1-GE3 Vishay sihd11n80ae.pdf MOSFETs TO252 800V 8A N-CH MOSFET
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+179.26 грн
10+135.36 грн
100+90.22 грн
500+83.87 грн
1000+80.35 грн
2000+46.31 грн
4000+45.74 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD11N80AE-T1-GE3 VISH-S-A0016250093-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIHD11N80AE-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHD11N80AE-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.45 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 78W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.391ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+91.27 грн
500+77.88 грн
1000+68.93 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD11N80AE-T1-GE3 VISH-S-A0016250093-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIHD11N80AE-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHD11N80AE-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.45 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+153.77 грн
10+118.41 грн
100+91.27 грн
500+77.88 грн
1000+68.93 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD11N80AE-T1-GE3 sihd11n80ae.pdf
SIHD11N80AE-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 800V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 804 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+173.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD11N80AE-T1-GE3 sihd11n80ae.pdf
SIHD11N80AE-T1-GE3
Виробник: Vishay
MOSFETs TO252 800V 8A N-CH MOSFET
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+179.26 грн
10+135.36 грн
100+90.22 грн
500+83.87 грн
1000+80.35 грн
2000+46.31 грн
4000+45.74 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.