Продукція > VISHAY SILICONIX > SIHD12N50E-GE3
SIHD12N50E-GE3

SIHD12N50E-GE3 Vishay Siliconix

sihd12n50e.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 550V 10.5A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 886 pF @ 100 V
на замовлення 2939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+162.22 грн
10+89.27 грн
100+62.92 грн
500+56.37 грн
1000+54.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHD12N50E-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 550V 10.5A DPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V, Power Dissipation (Max): 114W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 886 pF @ 100 V.

Інші пропозиції SIHD12N50E-GE3 за ціною від 49.66 грн до 166.04 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIHD12N50E-GE3 SIHD12N50E-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sihd12n50e.pdf MOSFETs 500V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
на замовлення 4699 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+166.04 грн
10+125.83 грн
100+74.37 грн
500+59.60 грн
1000+54.25 грн
3000+51.34 грн
6000+49.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD12N50E-GE3 SIHD12N50E-GE3 Виробник : Vishay sihd12n50e.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 10.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD12N50E-GE3 SIHD12N50E-GE3 Виробник : Vishay sihd12n50e.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 10.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD12N50E-GE3 Виробник : VISHAY sihd12n50e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.6A; Idm: 21A; 114W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 114W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 50nC
On-state resistance: 0.38Ω
Kind of channel: enhancement
Drain current: 6.6A
Pulsed drain current: 21A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 500V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD12N50E-GE3 Виробник : VISHAY sihd12n50e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.6A; Idm: 21A; 114W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 114W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 50nC
On-state resistance: 0.38Ω
Kind of channel: enhancement
Drain current: 6.6A
Pulsed drain current: 21A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 500V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.