SIHD12N50E-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 550V 10.5A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 886 pF @ 100 V
на замовлення 2939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 162.26 грн |
| 10+ | 89.29 грн |
| 100+ | 62.93 грн |
| 500+ | 56.39 грн |
| 1000+ | 54.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHD12N50E-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 550V 10.5A DPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V, Power Dissipation (Max): 114W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 886 pF @ 100 V.
Інші пропозиції SIHD12N50E-GE3 за ціною від 51.97 грн до 172.32 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHD12N50E-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs 500V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252) |
на замовлення 4709 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIHD12N50E-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 10.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
SIHD12N50E-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 10.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| SIHD12N50E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.6A; Idm: 21A; 114W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 114W Case: DPAK; TO252 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain current: 6.6A Drain-source voltage: 500V On-state resistance: 0.38Ω Gate charge: 50nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 21A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| SIHD12N50E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.6A; Idm: 21A; 114W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 114W Case: DPAK; TO252 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain current: 6.6A Drain-source voltage: 500V On-state resistance: 0.38Ω Gate charge: 50nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 21A |
товару немає в наявності |