SIHD12N50E-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 550V 10.5A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 886 pF @ 100 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 188.85 грн |
| 10+ | 116.68 грн |
| 100+ | 79.85 грн |
| 500+ | 60.15 грн |
| 1000+ | 55.39 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
2 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHD12N50E-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 550V 10.5A DPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V, Power Dissipation (Max): 114W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 886 pF @ 100 V.
Інші пропозиції SIHD12N50E-GE3 за ціною від 53.72 грн до 204.52 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHD12N50E-GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs 500V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252) |
на замовлення 4681 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
| SIHD12N50E-GE3 |
|
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 500V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
MOSFETs 500V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
на замовлення 4681 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 204.52 грн |
| 10+ | 98.63 грн |
| 100+ | 80.50 грн |
| 500+ | 69.22 грн |
| 1000+ | 59.96 грн |
| 3000+ | 58.83 грн |
| 6000+ | 53.72 грн |