Продукція > VISHAY > SiHD14N60E-GE3
SiHD14N60E-GE3

SiHD14N60E-GE3 VISHAY

sihd14n60e.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; Idm: 32A; 147W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 147W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 309mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 371 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+185.28 грн
5+133.44 грн
10+117.50 грн
75+104.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SiHD14N60E-GE3 VISHAY

Description: MOSFET N-CH 600V 13A DPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 309mOhm @ 7A, 10V, Power Dissipation (Max): 147W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 100 V.

Інші пропозиції SiHD14N60E-GE3 за ціною від 65.96 грн до 222.07 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SiHD14N60E-GE3 SiHD14N60E-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sihd14n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 13A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 309mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 100 V
на замовлення 923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+218.84 грн
75+98.40 грн
150+89.11 грн
525+71.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SiHD14N60E-GE3 SiHD14N60E-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sihd14n60e.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
на замовлення 11341 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+222.07 грн
10+105.04 грн
100+82.97 грн
500+70.42 грн
1000+68.33 грн
3000+65.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.