SiHD14N60E-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 13A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 309mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 100 V
на замовлення 1153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 131.60 грн |
| 75+ | 78.95 грн |
| 150+ | 75.45 грн |
| 525+ | 67.92 грн |
| 1050+ | 63.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SiHD14N60E-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 13A DPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 309mOhm @ 7A, 10V, Power Dissipation (Max): 147W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 100 V.
Інші пропозиції SiHD14N60E-GE3 за ціною від 72.38 грн до 145.50 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SiHD14N60E-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252) |
на замовлення 11616 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SIHD14N60E-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
товару немає в наявності |
|||||||||||
| SiHD14N60E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; Idm: 32A; 147W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 8A Power dissipation: 147W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 309mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 32A Gate charge: 64nC кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||
| SiHD14N60E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; Idm: 32A; 147W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 8A Power dissipation: 147W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 309mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 32A Gate charge: 64nC |
товару немає в наявності |