SIHD180N60E-GE3 VISHAY
Виробник: VISHAYDescription: VISHAY - SIHD180N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 19 A, 0.17 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
на замовлення 2646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 90.91 грн |
| 500+ | 78.88 грн |
| 1000+ | 64.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHD180N60E-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SIHD180N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 19 A, 0.17 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 19A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 156W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: E, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm.
Інші пропозиції SIHD180N60E-GE3 за ціною від 64.51 грн до 185.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SIHD180N60E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIHD180N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 19 A, 0.17 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 19A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 156W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: E productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm |
на замовлення 2646 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIHD180N60E-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 600V 19A TO252AA Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 9.5A, 10V Power Dissipation (Max): 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 100 V |
на замовлення 2909 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIHD180N60E-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 650V Vds; 30V Vgs DPAK (TO-252) |
на замовлення 4342 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIHD180N60E-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(2+Tab ) DPAK |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| SIHD180N60E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 40A; 156W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 12A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 156W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.195Ω Mounting: SMD Gate charge: 32nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| SIHD180N60E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 40A; 156W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 12A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 156W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.195Ω Mounting: SMD Gate charge: 32nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |