SIHD186N60EF-GE3 Vishay Semiconductors
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 256.37 грн |
| 10+ | 153.55 грн |
| 100+ | 99.44 грн |
| 500+ | 83.45 грн |
| 3000+ | 82.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHD186N60EF-GE3 Vishay Semiconductors
Description: MOSFET N-CH 600V 19A DPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 201mOhm @ 9.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 156W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1118 pF @ 100 V.
Інші пропозиції SIHD186N60EF-GE3 за ціною від 81.93 грн до 289.46 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHD186N60EF-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 600V 19A DPAKPackaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 201mOhm @ 9.5A, 10V Power Dissipation (Max): 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1118 pF @ 100 V |
на замовлення 5500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|