Продукція > VISHAY > SIHD186N60EF-GE3
SIHD186N60EF-GE3

SIHD186N60EF-GE3 VISHAY

2816251.pdf Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHD186N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 19 A, 0.175 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 156W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.175ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 2234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+113.38 грн
500+93.50 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHD186N60EF-GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SIHD186N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 19 A, 0.175 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 19A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 156W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 156W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: EF, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.175ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).

Інші пропозиції SIHD186N60EF-GE3 за ціною від 86.46 грн до 265.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIHD186N60EF-GE3 SIHD186N60EF-GE3 Виробник : VISHAY 2816251.pdf Description: VISHAY - SIHD186N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 19 A, 0.175 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 156W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.175ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 2234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+180.72 грн
10+142.46 грн
25+132.69 грн
100+113.38 грн
500+93.50 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD186N60EF-GE3 SIHD186N60EF-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sihd186n60ef.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 19A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 201mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1118 pF @ 100 V
на замовлення 6130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+232.35 грн
50+106.76 грн
100+103.72 грн
500+86.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD186N60EF-GE3 SIHD186N60EF-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sihd186n60ef.pdf MOSFETs TO252 600V 19A N-CH MOSFET
на замовлення 645 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+265.83 грн
10+251.19 грн
25+111.75 грн
100+105.22 грн
500+95.79 грн
3000+95.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD186N60EF-GE3 SIHD186N60EF-GE3 Виробник : Vishay sihd186n60ef.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD186N60EF-GE3 SIHD186N60EF-GE3 Виробник : Vishay sihd186n60ef.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(2+Tab) TO-252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD186N60EF-GE3 SIHD186N60EF-GE3 Виробник : Vishay sihd186n60ef.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(2+Tab) TO-252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD186N60EF-GE3 Виробник : VISHAY sihd186n60ef.pdf SIHD186N60EF-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.