SIHD1K4N60E-GE3

SIHD1K4N60E-GE3 Vishay / Siliconix


sihd1k4n60e.pdf Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
на замовлення 2062 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+141.28 грн
10+77.06 грн
100+51.30 грн
500+40.44 грн
1000+34.05 грн
3000+30.75 грн
6000+30.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHD1K4N60E-GE3 Vishay / Siliconix

Description: MOSFET N-CH 600V 4.2A TO252AA, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 63W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: DPAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 172 pF @ 100 V.

Інші пропозиції SIHD1K4N60E-GE3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIHD1K4N60E-GE3 SIHD1K4N60E-GE3 Виробник : Vishay sihd1k4n60e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD1K4N60E-GE3 Виробник : VISHAY sihd1k4n60e.pdf SIHD1K4N60E-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD1K4N60E-GE3 SIHD1K4N60E-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sihd1k4n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 4.2A TO252AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 172 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.