
SIHD1K4N60E-GE3 Vishay / Siliconix
на замовлення 2062 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 141.28 грн |
10+ | 77.06 грн |
100+ | 51.30 грн |
500+ | 40.44 грн |
1000+ | 34.05 грн |
3000+ | 30.75 грн |
6000+ | 30.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHD1K4N60E-GE3 Vishay / Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 4.2A TO252AA, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 63W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: DPAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 172 pF @ 100 V.
Інші пропозиції SIHD1K4N60E-GE3
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
SIHD1K4N60E-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|
SIHD1K4N60E-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
||
![]() |
SIHD1K4N60E-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 172 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |