Продукція > VISHAY SILICONIX > SIHD240N65E-GE3
SIHD240N65E-GE3

SIHD240N65E-GE3 Vishay Siliconix

sihd240n65e.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: E SERIES POWER MOSFET 650 V (D-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+357.98 грн
10+229.32 грн
100+163.52 грн
500+127.13 грн
1000+118.67 грн
3000+111.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHD240N65E-GE3 Vishay Siliconix

Description: E SERIES POWER MOSFET 650 V (D-, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 7A, 10V, Power Dissipation (Max): 147W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 100 V.

Інші пропозиції SIHD240N65E-GE3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SIHD240N65E-GE3 SIHD240N65E-GE3 Vishay / Siliconix sihd240n65e.pdf MOSFETs N-CHANNEL 650V
на замовлення 2607 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.