Продукція > VISHAY > SIHD2N80AE-GE3
SIHD2N80AE-GE3

SIHD2N80AE-GE3 Vishay

sihd2n80ae.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 2.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+36.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHD2N80AE-GE3 Vishay

Description: MOSFET N-CH 800V 2.9A DPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 100 V.

Інші пропозиції SIHD2N80AE-GE3 за ціною від 32.07 грн до 137.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIHD2N80AE-GE3 SIHD2N80AE-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sihd2n80ae.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 2.9A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 100 V
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+105.19 грн
10+58.88 грн
100+49.08 грн
500+40.21 грн
1000+36.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD2N80AE-GE3 SIHD2N80AE-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sihd2n80ae.pdf MOSFETs Nch 800V Vds 30V Vgs TO-252 (DPAK)
на замовлення 7979 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+110.06 грн
10+63.26 грн
100+45.86 грн
500+40.85 грн
1000+35.85 грн
3000+32.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD2N80AE-GE3 Виробник : VISHAY sihd2n80ae.pdf SIHD2N80AE-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+137.74 грн
12+91.61 грн
32+86.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.