Продукція > VISHAY > SIHD2N80AE-GE3
SIHD2N80AE-GE3

SIHD2N80AE-GE3 Vishay

sihd2n80ae.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 2.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+33.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHD2N80AE-GE3 Vishay

Description: MOSFET N-CH 800V 2.9A DPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 100 V.

Інші пропозиції SIHD2N80AE-GE3 за ціною від 29.29 грн до 119.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SIHD2N80AE-GE3 SIHD2N80AE-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sihd2n80ae.pdf MOSFET Nch 800V Vds 30V Vgs TO-252 (DPAK)
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+84.26 грн
10+ 53.03 грн
100+ 38.76 грн
500+ 35.25 грн
1000+ 31.01 грн
3000+ 29.55 грн
6000+ 29.29 грн
Мінімальне замовлення: 4
SIHD2N80AE-GE3 SIHD2N80AE-GE3 Виробник : VISHAY sihd2n80ae.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.8A; Idm: 3.6A; 62.5W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
On-state resistance: 2.5Ω
Drain current: 1.8A
Drain-source voltage: 800V
Power dissipation: 62.5W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Gate charge: 10.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Type of transistor: N-MOSFET
Pulsed drain current: 3.6A
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+99.6 грн
5+ 83.51 грн
12+ 68.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
SIHD2N80AE-GE3 SIHD2N80AE-GE3 Виробник : VISHAY sihd2n80ae.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.8A; Idm: 3.6A; 62.5W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
On-state resistance: 2.5Ω
Drain current: 1.8A
Drain-source voltage: 800V
Power dissipation: 62.5W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Gate charge: 10.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Type of transistor: N-MOSFET
Pulsed drain current: 3.6A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+119.52 грн
5+ 104.07 грн
12+ 81.99 грн
32+ 77.85 грн
300+ 74.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHD2N80AE-GE3 SIHD2N80AE-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sihd2n80ae.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 2.9A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 100 V
товар відсутній