на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 38.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHD2N80AE-GE3 Vishay
Description: MOSFET N-CH 800V 2.9A DPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 100 V.
Інші пропозиції SIHD2N80AE-GE3 за ціною від 33.83 грн до 143.41 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHD2N80AE-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 800V 2.9A DPAKPackaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 100 V |
на замовлення 2250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SIHD2N80AE-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs Nch 800V Vds 30V Vgs TO-252 (DPAK) |
на замовлення 4890 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SIHD2N80AE-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.8A; Idm: 3.6A; 62.5W; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 1.8A Pulsed drain current: 3.6A Power dissipation: 62.5W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 10.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SIHD2N80AE-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.8A; Idm: 3.6A; 62.5W; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 1.8A Pulsed drain current: 3.6A Power dissipation: 62.5W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 10.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|