SIHD2N80AE-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 800V 2.9A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 100 V
на замовлення 1579 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 114.99 грн |
| 10+ | 70.15 грн |
| 100+ | 47.03 грн |
| 500+ | 34.86 грн |
| 1000+ | 31.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHD2N80AE-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 2.9A DPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 100 V.
Інші пропозиції SIHD2N80AE-GE3 за ціною від 30.32 грн до 148.50 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHD2N80AE-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs Nch 800V Vds 30V Vgs TO-252 (DPAK) |
на замовлення 4827 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SIHD2N80AE-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.8A; Idm: 3.6A; 62.5W; ESD Case: DPAK; TO252 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate charge: 10.5nC On-state resistance: 2.5Ω Drain current: 1.8A Pulsed drain current: 3.6A Power dissipation: 62.5W Gate-source voltage: ±30V Drain-source voltage: 800V Kind of channel: enhancement Version: ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|