Продукція > VISHAY SEMICONDUCTORS > SIHD2N80E-GE3
SIHD2N80E-GE3

SIHD2N80E-GE3 Vishay Semiconductors

sihd2n80e.pdf Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 800V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
на замовлення 77324 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+121.02 грн
10+66.67 грн
100+48.78 грн
500+43.85 грн
1000+38.62 грн
3000+37.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHD2N80E-GE3 Vishay Semiconductors

Description: MOSFET N-CH 800V 2.8A DPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.75Ohm @ 1A, 10V, Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.6 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 100 V.

Інші пропозиції SIHD2N80E-GE3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIHD2N80E-GE3 SIHD2N80E-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sihd2n80e.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 2.8A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.75Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 100 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD2N80E-GE3 SIHD2N80E-GE3 Виробник : Vishay sihd2n80e.pdf E Series Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD2N80E-GE3 Виробник : VISHAY sihd2n80e.pdf SIHD2N80E-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.