Продукція > VISHAY SEMICONDUCTORS > SIHD4N80E-GE3
SIHD4N80E-GE3

SIHD4N80E-GE3 Vishay Semiconductors

sihd4n80e.pdf Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 800V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
на замовлення 1391 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+144.92 грн
10+92.02 грн
100+54.49 грн
500+53.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHD4N80E-GE3 Vishay Semiconductors

Description: MOSFET N-CH 800V 4.3A DPAK, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.27Ohm @ 2A, 10V, Power Dissipation (Max): 69W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 622 pF @ 100 V.

Інші пропозиції SIHD4N80E-GE3 за ціною від 51.99 грн до 177.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIHD4N80E-GE3 SIHD4N80E-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sihd4n80e.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 4.3A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.27Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 622 pF @ 100 V
на замовлення 1899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+177.24 грн
10+109.79 грн
100+75.02 грн
500+56.47 грн
1000+51.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD4N80E-GE3 SIHD4N80E-GE3 Виробник : Vishay sihd4n80e.pdf E Series Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD4N80E-GE3 Виробник : VISHAY sihd4n80e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; Idm: 11A; 69W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.7A
Pulsed drain current: 11A
Power dissipation: 69W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.27Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.