SIHD4N80E-GE3 Vishay Semiconductors
на замовлення 1391 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 147.63 грн |
| 10+ | 93.74 грн |
| 100+ | 55.51 грн |
| 500+ | 54.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHD4N80E-GE3 Vishay Semiconductors
Description: VISHAY - SIHD4N80E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.3 A, 1.27 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 69W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: E, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.27ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SIHD4N80E-GE3 за ціною від 51.58 грн до 180.55 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHD4N80E-GE3 | Виробник : VISHAY |
 Description: VISHAY - SIHD4N80E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.3 A, 1.27 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 69W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: E productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.27ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 1393 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SIHD4N80E-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 800V 4.3A DPAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.27Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 622 pF @ 100 V |
на замовлення 1899 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SIHD4N80E-GE3 | Виробник : Vishay |
E Series Power MOSFET |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| SIHD4N80E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; Idm: 11A; 69W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 2.7A Pulsed drain current: 11A Power dissipation: 69W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.27Ω Mounting: SMD Gate charge: 32nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |