SIHD4N80E-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 800V 4.3A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.27Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 622 pF @ 100 V
на замовлення 1899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 135.16 грн |
| 10+ | 83.25 грн |
| 100+ | 56.90 грн |
| 500+ | 51.17 грн |
| 1000+ | 48.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHD4N80E-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 4.3A DPAK, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.27Ohm @ 2A, 10V, Power Dissipation (Max): 69W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 622 pF @ 100 V.
Інші пропозиції SIHD4N80E-GE3 за ціною від 53.79 грн до 144.88 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHD4N80E-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 800V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252) |
на замовлення 1391 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SIHD4N80E-GE3 | Виробник : Vishay |
E Series Power MOSFET |
товару немає в наявності |
|||||||||||
| SIHD4N80E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; Idm: 11A; 69W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 2.7A Pulsed drain current: 11A Power dissipation: 69W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.27Ω Mounting: SMD Gate charge: 32nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |