Продукція > VISHAY / SILICONIX > SIHD5N50D-GE3
SIHD5N50D-GE3

SIHD5N50D-GE3 Vishay / Siliconix

sihd5n50d.pdf
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 500V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
на замовлення 5985 шт:
термін постачання 211-220 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+87.99 грн
10+64.28 грн
100+48.65 грн
500+48.58 грн
1000+32.83 грн
3000+30.83 грн
6000+30.39 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 211-220 дні (днів)
Мінімальна партія: 4 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHD5N50D-GE3 Vishay / Siliconix

Description: VISHAY - SIHD5N50D-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5.3 A, 1.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 104W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: D, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 1.2ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).

Інші пропозиції SIHD5N50D-GE3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SIHD5N50D-GE3 SIHD5N50D-GE3 VISHAY VISH-S-A0009403020-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIHD5N50D-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5.3 A, 1.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: D
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.2ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 1261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD5N50D-GE3 SIHD5N50D-GE3 VISHAY VISH-S-A0009403020-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIHD5N50D-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5.3 A, 1.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 104W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 1261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD5N50D-GE3 VISH-S-A0009403020-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIHD5N50D-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHD5N50D-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5.3 A, 1.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: D
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.2ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 1261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD5N50D-GE3 VISH-S-A0009403020-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIHD5N50D-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHD5N50D-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5.3 A, 1.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 104W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 1261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.