на замовлення 3024 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 111.58 грн |
| 10+ | 72.24 грн |
| 100+ | 45.22 грн |
| 500+ | 35.58 грн |
| 1000+ | 32.52 грн |
| 3000+ | 28.85 грн |
| 6000+ | 28.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHD5N80AE-GE3 Vishay / Siliconix
Description: E SERIES POWER MOSFET DPAK (TO-2, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 1.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 321 pF @ 100 V.
Інші пропозиції SIHD5N80AE-GE3 за ціною від 30.85 грн до 127.46 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHD5N80AE-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: E SERIES POWER MOSFET DPAK (TO-2Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 321 pF @ 100 V |
на замовлення 3006 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|