Продукція > VISHAY SEMICONDUCTORS > SIHD6N62E-GE3
SIHD6N62E-GE3

SIHD6N62E-GE3 Vishay Semiconductors

sihd6n62e.pdf
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 620V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
на замовлення 2405 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+156.25 грн
10+99.24 грн
100+59.30 грн
500+50.26 грн
1000+41.97 грн
3000+36.38 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHD6N62E-GE3 Vishay Semiconductors

Description: MOSFET N-CH 620V 6A DPAK, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tube, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 578 pF @ 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: TO-252AA, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 78W (Tc).

Інші пропозиції SIHD6N62E-GE3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SIHD6N62E-GE3 Vishay Siliconix sihd6n62e.pdf Description: MOSFET N-CH 620V 6A DPAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 578 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD6N62E-GE3 sihd6n62e.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 620V 6A DPAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 578 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.