SIHD6N62E-GE3 Vishay Semiconductors
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 125.31 грн |
| 10+ | 101.52 грн |
| 100+ | 45.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHD6N62E-GE3 Vishay Semiconductors
Description: MOSFET N-CH 620V 6A DPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 78W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 578 pF @ 100 V.
Інші пропозиції SIHD6N62E-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| SIHD6N62E-GE3 | Виробник : VISHAY |
 SIHD6N62E-GE3 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
||
 |
SIHD6N62E-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 620V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
товару немає в наявності |
|
| SIHD6N62E-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 620V 6A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 578 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |