Продукція > VISHAY SILICONIX > SIHD6N80AE-GE3
SIHD6N80AE-GE3

SIHD6N80AE-GE3 Vishay Siliconix

sihd6n80ae.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 5A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 422 pF @ 100 V
на замовлення 3014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+117.75 грн
75+50.57 грн
150+44.43 грн
525+38.01 грн
1050+33.38 грн
2025+33.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHD6N80AE-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 800V 5A DPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2A, 10V, Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 422 pF @ 100 V.

Інші пропозиції SIHD6N80AE-GE3 за ціною від 35.27 грн до 133.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIHD6N80AE-GE3 SIHD6N80AE-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sihd6n80ae.pdf MOSFETs N-CHANNEL 800V DPAK (TO-252)
на замовлення 3239 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+133.76 грн
10+66.43 грн
100+50.14 грн
500+43.47 грн
1000+36.79 грн
3000+35.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD6N80AE-GE3 Виробник : Vishay sihd6n80ae.pdf Power MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+39.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD6N80AE-GE3 Виробник : VISHAY sihd6n80ae.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.2A; Idm: 10A; 62.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 62.5W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 22.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD6N80AE-GE3 Виробник : VISHAY sihd6n80ae.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.2A; Idm: 10A; 62.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 62.5W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 22.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.