Продукція > VISHAY SILICONIX > SIHD6N80E-GE3
SIHD6N80E-GE3

SIHD6N80E-GE3 Vishay Siliconix

sihd6n80e.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 5.4A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 827 pF @ 100 V
на замовлення 1972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+209.30 грн
10+133.42 грн
100+93.25 грн
500+70.64 грн
1000+65.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHD6N80E-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 800V 5.4A DPAK, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940mOhm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 78W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 827 pF @ 100 V.

Інші пропозиції SIHD6N80E-GE3 за ціною від 68.64 грн до 211.14 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIHD6N80E-GE3 SIHD6N80E-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sihd6n80e.pdf MOSFETs 800V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
на замовлення 1347 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+211.14 грн
10+139.60 грн
100+89.02 грн
250+82.40 грн
500+72.69 грн
1000+68.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD6N80E-GE3 SIHD6N80E-GE3 Виробник : Vishay sihd6n80e.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 5.4A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD6N80E-GE3 Виробник : VISHAY sihd6n80e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.4A; Idm: 15A; 78W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.4A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 78W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 940mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD6N80E-GE3 Виробник : VISHAY sihd6n80e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.4A; Idm: 15A; 78W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.4A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 78W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 940mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.