Продукція > VISHAY > SIHD7N60E-GE3
SIHD7N60E-GE3

SIHD7N60E-GE3 VISHAY

sihd7n60e.pdf Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHD7N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 3654 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+151.49 грн
10+103.74 грн
100+69.40 грн
500+63.76 грн
1000+58.22 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHD7N60E-GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SIHD7N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 78W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: E, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SIHD7N60E-GE3 за ціною від 58.79 грн до 181.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIHD7N60E-GE3 SIHD7N60E-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sihd7n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V
на замовлення 134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+165.92 грн
10+95.71 грн
100+67.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD7N60E-GE3 SIHD7N60E-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sihd7n60e.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
на замовлення 3436 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+181.52 грн
10+104.66 грн
100+72.51 грн
250+65.17 грн
500+60.55 грн
1000+58.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD7N60E-GE3 SIHD7N60E-GE3 Виробник : Vishay sihd7n60e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD7N60E-GE3 Виробник : VISHAY sihd7n60e.pdf SIHD7N60E-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.