SIHF068N60EF-GE3 VISHAY
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHF068N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.059 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm
Description: VISHAY - SIHF068N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.059 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm
на замовлення 949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 322.79 грн |
10+ | 246.4 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHF068N60EF-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SIHF068N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.059 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 39W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: EF, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm.
Інші пропозиції SIHF068N60EF-GE3 за ціною від 174.25 грн до 372.31 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SIHF068N60EF-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 600V 16A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 39W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Full Pack Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2628 pF @ 100 V |
на замовлення 673 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SIHF068N60EF-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors | MOSFET 600V N-CHANNEL |
на замовлення 870 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SIHF068N60EF-GE3 | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
SIHF068N60EF-GE3 | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
SIHF068N60EF-GE3 | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
SIHF068N60EF-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; Idm: 115A; 39W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 10A Pulsed drain current: 115A Power dissipation: 39W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 68mΩ Mounting: THT Gate charge: 77nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
SIHF068N60EF-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; Idm: 115A; 39W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 10A Pulsed drain current: 115A Power dissipation: 39W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 68mΩ Mounting: THT Gate charge: 77nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |